第五章 化学气相沉积一、CVD的概念、优点及特点 二、CVD的基本原理 三、CVD...(7)辐射损伤低。 主要缺点: 反应温度太高,一般要求在1000°C左右,使基 体...
第五章 化学气相沉积_工学_高等教育_教育专区。真空镀膜化学气相沉积 Chemical ...6. 7. 可沉积各类薄膜 成膜速度快 镀膜的绕射性好 致密性好、残余应力小、...
第五章 化学气相沉积_工学_高等教育_教育专区。选填,简要介绍文档的主要内容,方便...? CVDSiO2沉积,是一个典型的CVD反应的例子。图5.7显示 CVDSiO2以TEOS为反应...
第五章气相沉积技术_化学_自然科学_专业资料。第五章 气相沉积技术 1. 真空与...化学气相沉积的特点 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 在中温或高温下,通过气态...
第五章 气相沉积法 1 第一节 概述一、气相沉积技术(vapor deposition) 通过气态...7 一、化学气相沉积发展古人类在取暖或烧 烤时在岩洞壁或岩 石上的黑色碳层...
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第5章 化学气相沉积1_材料科学_工程科技_专业资料。主要介绍物理气相沉积技术第5 章 气相沉积技术 1.气相沉积技术及分类 利用气相中发生的物理、化学过程,在固体材...
7页 2下载券 真空泵讲义 68页 免费 化学气相沉积反应中金属 4页 免费 第四...第五章 化学气相沉积化学气相沉积是一种化学气相生长法,简称 CVD(Chemical Vapor...
第五章_薄膜的化学气相沉积_能源/化工_工程科技_专业资料。化学气相沉积 ...因介电常数为7,形成 较大的寄生电容 侧墙 Reduced sheet resistance Reduced ...
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