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集成电路基础工艺和版图设计测试试卷

集成电路基础工艺和版图设计测试试卷

(考试时间:60分钟,总分100分)

集成电路基础工艺和版图设计测试试卷

第一部分、填空题(共30分。每空2分)

1、 NMOS是利用来传输电信号的金属半导体;PMOS是利用来传输电信号的金属半导体。 2、 集成电路即“IC”,俗称芯片,按功能不同可分为集成电路和集成电路,按导电类型不同可分为 集成电路和集成电路,前者频率特性好,但功耗较大,而且制作工艺复杂,不利于大规模集成;后者工作速度低,但是输入阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成。

3、 金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管即MOS管,是一个四端有源器件,其四端分别是极 、 源极 、 漏极 、 背栅 。

4、 集成电路设计分为全定制设计方法和半定制设计方法,其中全定制设计方法又分为基于和的设计方法,芯片利用率最低的是基于 门阵列 的设计方法。

第二部分、不定项选择题(共45分。每题3分,多选,错选不得分,少选得1分)

1、在CMOS集成电路中,以下属于常用电容类型的有( ABCD )

A、MOS电容 B、双层多晶硅电容 C、金属多晶硅电容 D、金属—金属电容

2、在CMOS集成电路中,以下属于常用电阻类型的有( ABCD )

A、源漏扩散电阻 B、阱扩散电阻 C、沟道电阻 D、多晶硅电阻

3、以下属于无源器件的是( CD )

A、MOS晶体管 B、BJT晶体管 C、POLY电阻 D、MIM电容

4、与芯片成本相关的是( ABC )

A、晶圆上功能完好的芯片数 B、晶圆成本 C、芯片的成品率 D、以上都不是

5、通孔的作用是( AB )

A、连接相邻的不同金属层 B、使跳线成为可能 C、连接第一层金属和有源区 D、连接第一层金属和衬底

6、IC版图的可靠性设计主要体现在( ABC )等方面,避免器件出现毁灭性失效而影响良率。

A、天线效应 B、闩锁(Latch up) C、ESD(静电泄放)保护 D、工艺角(process corner)分析

7、减小晶体管尺寸可以有效提高数字集成电路的性能,其原因是( AB )

A、寄生电容减小,增加开关速度 B、门延时和功耗乘积减小 C、高阶物理效应减少 D、门翻转电流减小

8、一般在版图设计中可能要对电源线等非常宽的金属线进行宽金属开槽,主要是抑制热效应对芯片的损害。下面哪些做法符合宽金属开槽的基本规则?( ABCD )

A、开槽的拐角处呈45度角,减轻大电流密度导致的压力 B、把很宽的金属线分成几个宽度小于规则最小宽度的金属线

C、开槽的放置应该总是与电流的方向一致 D、在拐角、T型结构和电源PAD区域开槽之前要分析电流流向

9、以下版图的图层中与工艺制造中出现的外延层可能直接相接触的是( AB )。

A、AA(active area) B、NW(N-Well) C、POLY D、METAL1

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