半导体课后答案 ...
非简并半导体:当掺杂浓度不算高,费米能级处于禁带中并且远离导带(价带,一般划分条件是Ec-Ef>2eV,或Ef-Ev>2eV. ,这种半导体称为非简并半导体。 冻析效应:对于含有杂质的半导体,当温度低于某一温度时,杂质只有局部电离,尚有局部载流......
4.掺杂半导体与本征半导体之间有何差异?试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。...
2.在室温下,半导体Si中掺入浓度为的磷杂质后,半导体中多数载流子是(C),多子...
11某p型半导体中的掺杂浓度na1016cm3少子寿命n10?s在均匀光的照射下产生非平衡载流子其产生率g1018cm3s试计算室温时光照射情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较 1、晶格常数2.5的一维晶格,当外加102V/m和107V/m......
11、MIS结构的表面发生强反型时,其表面的导电类型与体材料的(B),若增加掺杂浓度,其开启电压将(C)。 A、相同 B、不同 C、增加 D、减少二、证明题:(8分) p型半导体的费米能级在n型半导体的费米能级之下。(8分) 证明一:由于......
3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会( B ...
(1)平衡时空穴浓度为多少? (2)掺入材料中施主杂质浓度为多少? (3)电离杂质中心浓度为多少? (4)中性杂质散射中心浓度为多少?(1)热平衡时, 显然 n0》p0 ,故半导体杂质补偿后为n型。(2)电中性方程 (1)补偿......
A.施主B.受主C.复合中心D.两性杂质5、一块半导体寿命t=15Q,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止 A.1/4;B.1/e;C.1/e2;D.1/2 6、在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,当掺入的浓度增加时,费米能级向( 移动......