高通推出28纳米工艺SnaPdrag0n芯片组MSM8960

高通公司宣布将推出基于28纳米工艺的Snapdragon芯片组MSM8960并宣布此芯片组将于2011财年开始出样。基于28纳米工艺的该芯片组采用新的CPU内核为特征,主要针对高端智能手机和平板电脑等移动计算终端。高通公司表示：

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l资讯快报 I e& Po u tS o ws r d c s h w N

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用S3 5 o控制器的实时电流及电压 i 2P E 4

“ S 8 6是一款双核芯片，使用件设计工作、缩减元器件数量和印刷电 M M 90路板空间以及加快产品上市时间。新产

监测功能，可依据实际的功耗运行主动基于新型微架构的升级版CP U内核，

电源管理，如此能更有效率地使用交换其性能将是第一代 S a d a o芯片品采用硬件执行电机控制计算，控制电 n p rg n端口，远胜于简单的功率分类方案。 对于 8口或更少端口数的小型系端的 5左右，同时功耗降低 7%。”倍 5

机只需微控制器提供加速、减速、转速

这款芯片组将采用集成式多模调制以及目标位置指令，从而简化了软件设

统而言，S38电源管理提供一种可编解调器，支持 L E所有的 3式。 i 0 4 T和 G模

计，进一步释放微控制器的资源，以支

程化管脚、独立运行的解决方案，毋与此同时，在图形处理能力方面将是持更多的差异化功能。 需通过接口连接至智能型主机设备， 原有 S a da o芯片性能的 4,而 n p rg n倍除了在单片上整合更多的功能

SI这让 S3 8 t常适合用于非网管交换 其内嵌的的集成式连接功能也将支持外，d P N还采用创新的电压模式控 i4 0￣ A P、蓝牙和 F]频。 Mi￣ 器，或其它希望拥有全功能主动式电 wL N、G s

制演算法，确保电机极其顺畅平稳的

源管理却不想要撰写或集成系统软件 的应用。 针对较大型的 P E系统而言， O

目前高通公司在售的MS 86芯运转。电压模式可实现全数字化电机 M x0片组平台包括MS 2 0 M8 6和M S 60 -控制，向电机相位馈入精确的正弦波 M86 - - 基于 4￣米技术、双CP 51 t 1 U内核、运行形，达到每步 1 8步的分辨率。此 2微外，新产品可以降低共振、机械噪音

. GHz公开信息显示， 2。 S3 8电源管理I可以运用 S3 5控速度高达 1 i4 2 c i4 2

C、制器的实时电压和电流监测功

能，管高通公司的芯片被广泛使用于 HT 理多达 4端口的 3电源供电设备。 8个

以及低速振动，在低速模式下还能降 低转速和转矩波动。

索尼爱立信等厂商的智能手机中。

S 4 2件能由其主机通过 S I U R 此外，微软日前颁布新一代操作系 i 8组 3 P或 A T 接口进行编程，进而设定供电能力、

意法半导体充分发挥模拟器件的

统 Wid ws h n,首批 9手机全优势，利用其先进的 B n o o e7 P款 CD制程在单片部采用高通公司S a da o芯片。 np rgn

端口功率配置、各端口优先级、检测 时间及故障复原协议。一旦编程完成后，S3 8便能在主机不介入的情况 i4 2下，利用之前存储的配置数据进行运作。S38也能利用主机中的链路层发 i42现协议 (L )为媒介，它能例行性 L DP做地要求S3 8动态调整某一受电装置并 i 2 4在连接时间中获得所需的电量。 网 t1. www. lb o 1 - s a st m i

上集成过热保护、低总线电压保护、 无功耗过流保护以及电机失步检测等

S推出单片电机控制器 T 制系统级芯片。新产品针对安全摄像头、自动取款机、自动售票机、舞台

丰富的功能，进而为当今要求最为严

S推出具有更强功能的电机控格的应用简化了整体保护解决方案的 T 设计。 网}. www .m iree l nc C I c s co lcr is OT n l o L

恩智浦推出车用 L D动 E驱 芯片 恩智浦半导体N e cnu t s XPS mi d c r o o

N..布，针对汽车 LE V宣 D前灯和尾灯

高通推出 28纳米工艺 S agOn芯片组 aPdr n M S 89 0 M 6

应用，推出基于汽车级技术的全集成 灯光、打印机以及自动售货机等应用式高度灵活型驱动器芯片解决方案。 L 00 K L1 1P/ 6所开发，让设备厂商以更低的成本实 AS 1 1NT和AS 0 0 HN采用 81

高通公司宣布将推出基于 2纳现反应更快的高性能电机驱动器。 8 米工艺的S a d ao芯片组M S 9 0 n

p rg n M86

引脚封装，是集成了诸多核心功能

E E ‘ii l PN’ (S I dgt I d PN)采用意的汽车 L D驱动器芯片，如直接 L D aS

ED并宣布此芯片组将于 2 1财年开始法半导体独有的 B 01 CD制程，整合了控温度反馈、L故障检测、内部脉宽 出样。基于 2纳米工艺的该芯片制步进电机所需的数字控制、模拟测 8

( w M )调光控制、短路保护等功 P

组采用新的 CPU内核为特征，主要量、功率转换等各种电路。这是意法半能，所有这些功能均基于汽车级模拟

sI针对高端智能手机和平板电脑等导体d PN产品系列的首款单片电机控混合信号平台。 移动计算终端。高通公司表示： 制I C,可帮助设计人员避免专门的软硬 AS 1 1 NT AS I l P L 0 0 K/ L O O HN驱动

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