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第1章晶体管三极管

2、半导体二极管伏安特性 (1) 正向导通、 正向导通、 (2) 反向截止、 反向截止、 (3) 反向击穿 开启电压Uon :死区电压 开启电压 死区电压 硅管0.5V,锗管 锗管0.1V 硅管 锗管 导通电压U 导通电压 : 硅管 0.6~0.8V,锗管 锗管0.1~0.3V 锗管 ——P19表1.2.1 表

温度对二极管伏安特性的影响: 温度对二极管伏安特性的影响 温度每升高1℃ 正向压降减小2~2.5mV 温度每升高 ℃,正向压降减小 温度每升高10℃ 温度每升高 ℃,反向电流约增大一倍

1 2012-3-8

第1章晶体管三极管

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