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IRS2117SPbF中文资料

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Data Sheet No. PD60227

IRS2117/IRS2118(S)PbF

Features

Floating channel designed for bootstrap operationFully operational to +600 V

Tolerant to negative transient voltage, dV/dtimmune

Gate drive supply range from 10 V to 20VUndervoltage lockout

CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-downOutput in phase with input (IRS2117) or out ofphase with input (IRS2118)RoHS compliant

SINGLE CHANNEL DRIVER

Product Summary

VOFFSETIO+/-VOUTton/off (typ.)

600 V max.200 mA / 420 mA10 V - 20 V125 ns & 105 ns

Description

The IRS2117/IRS2118 are a high voltage, high speedpower MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC andlatch immune CMOS technologies enable ruggedizedmonolithic construction. The logic input is compatiblewith standard CMOS outputs. The output driver fea-tures a high pulse current buffer stage designed forminimum cross-conduction. The floating channel canbe used to drive an N-channel power MOSFET or IGBTin the high-side or low-side configuration which oper-ates up to 600 V.

Packages

IRS2117SPbF中文资料

8-L

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ead PDIP

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IRS2117/IRS21188-Lead SOICIRS2117S/IRS2118S

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