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IGBT 饱和压降
在国内电子市场上，鱼目混珠的产品太多，特别是大功率的IGBT，全新的和翻新的很难分辨出真假，标称的饱和压降参数和实际的参数相差较大。工程师容易测试IGBT是否顺坏，但是难测试大电流情况下IGBT的表现情况。如果采用多个IGBT并联工作，即使是同一批次的产品，由于个体差异，大电流情况下的Vce压降千差万别，无法很好实现均流。如果能够真实测量大电流情况下，IGBT的实际压降，使用IGBT到实际产品时，能够大大的提高产品的可靠性。当然，本产品可以再采购时使用，准确分辨IGBT真伪，防止买到次品。
厂家给定的参数为400A时，对应输出电压为2.5V@ Vgs=15.0V，对应的管子热量损耗为1000W。如果工程师安装这个特性曲线进行散热设计，选择多大的散热片，选择多大的风速都是可以计算出来的。这些当然是理想的情况了，实际上，厂家给出的管子特性曲线都是真实的IGBT的实际测试曲线，但是那些IGBT是经过挑选的，一批里面最好的管子，这样在销售的时候才有竞争力，你会去买一个同样电流，压降更大的管子吗？当然不会，选择性能好的才是最佳选择呀！本人也是工程师，在此深受其害。记的在做一个30V1200A的36kW恒流恒压电源的时候，本人采用了移向全桥结构，如下图。
图1 移向全桥结构
使用uc3875作为主控芯片，当满功率测试时，器件都工作在了软开关阶段了，扇热片发热厉害，分析一下，这个时候只有剩下导通损耗了呀。多次怀疑自己的开通时序问题，但是都没有发现问题，经过长时间的折腾，测试IGBT的特
说了 MOSFET 的驱动电压, 再来说说 IGBT 的驱动电压, IGBT 的驱动电压为 15±1.5V, IGBT 的耐压无关。 与 驱动电压低于 13.5V, IGBT 的饱和压降会明显增高...
1 IGBT 并联运行分析 1.1 影响并联 IGBT 均流的主要因素 1) IGBT 和反并联二极管静态参数的影响 IGBT 的饱和压降 Vce(sat)、反并联二极管的正向压降 Vf ...
IGBT 的开启电压约 3～ 4V,和 MOSFET 相当。IGBT 导通时的饱和压降比 MOSFET 低而和 GTR 接近,饱和压降 随栅极电压的增加而降低。 正式商用的 IGBT 器件的...
如过流保护常用电流检也传感器,短路保护常通过检测 IGBT 饱和压降,配合驱动电路来实现。 不同的功率有不同的方法来实现过流或短路保护。 1、 小功率 IGBT 模块...
IGBT 的开启电压约 3～4V,和 MOSFET 相当。IGBT 导通时的饱和压降比 MOSFET 低而和 GTR 接近,饱和压降随栅极电压的增加而降 低。 正式商用的 IGBT 器件的...
Technical Training 2011-11-13 Rev 02 IGBT 保护问题 Winson Wei (魏炜) CT...Vcesat在饱和区内的变化是非常微弱的,如果想利用饱和压降的变化来 辨识IGBT的...
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模块简介 IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管) 的...又具有双极型器件饱和压降 低而容量大的优点,其频率特性介于 MOSFET 与功率晶体...
IGBT 的开启电压约 3～4V, 和 MOSFET 相当。 IGBT 导通时的饱和压降比 MOSFET 低而和 GTR 接近, 饱和压降随栅极 电压的增加而降低。 正式商用的高压大电流 ...
IGBT 的开启电压约 3～4V, MOSFET 相当。 和 IGBT 导通时的饱和压降比 MOSFET 低而和 GTR 接近,饱和压降随栅极电压的增加而降低。 3.IGBT 的工作原理 N 沟...
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