第 1卷第 3期 1 2 1年 9月 0 1
南京师范大学学报 (程技术版 )工 JU N LO A J GN R A NV R I E GN E IGA DT C N L G DTO ) O R A FN NI O M LU IE S Y( N IE RN N E H O O YE IIN N T
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驱动噪声对开关电源传导 E MI的影响 姜宁秋赵阳, ( .南京师范大学电气与自动化工程学院,苏南京 20 4 ) 1江 10 2 ( .东南大学毫米波国家重点实验室,苏南京 20 9 ) 2江 10 6
[要]分析了电路电流路径,摘 在此基础上提出了一种基于驱动噪声开关电源电磁干扰分析模型,该模型可以用于分析驱动 电路噪声对开关电源电磁干扰的影响 .时在机理分析的基础上进行了试验,验结果证明了模型的正确性和有效性 .同试
[关键词]模型, 电磁干扰,驱动噪声,开关电源[图分类号]T 5[中 M1文献标志码]A[ 文章编号]6 219 ( 0 1 0 -0 10 17—2 2 2 1 ) 3 0 - 0 5
Th n u nc f t i e No s n t e Co uc e e I f e e o he Dr v ie o h nd t d En I o l fSM PS da g Nig i, a n in n q u Zh o Ya g, ( .S h o o lcr a a dA t t n E gn eig a j g N r a U i r t,N nig 1 0 2 C ia 1 c o l f e t cl n uo i n ie r,N ni om l nv s y a j 0 4, hn ) E i ma o n n ei“2
( .SaeK yL brtyo lmee Wae otes U iesy aj g2 0 9,C ia 2 t e aoao fMii tr vsS uhat nvri,N ni 10 6 hn ) t r l t n
Abs r c:The c re tp t ft ic ti ay e ta t u r n a h o he cr ui san lz d. On t tb i ha ass,a ne a a y i d lo h o du td EM Ib s d w n l ss mo e ft e c n ce a e o h ie nos s p e e e n t e drv ie i r s n
td,whc a s d t n l z h n u nc ft e drv os n t o d td EM Io ih c n be u e o a a y e t e i f e e o h ie n ie o he c n uce l f SMPS. Att a tme, x rm e s c n c e o h ss ft e me h ia a ay i. Th e ut fe pei n he s me i e pe i nti o du td n t e ba i o h c anc l n lss e rs l o x rme t
s o h tt e mo e n h n l ssa e c re ta d efc ie h wst a h d la d t e a ay i r o r c n f t . e v Ke y wor ds:mo l EM I d ie n ie, PS de,, rv os SM
由于开关电源具有高功率密度、高效率等优点,目前已经广泛应用在计算机、电视机、信设备、制通控装置等设备之中.并且随着功率半导体器件如 MO F T、 B S E I T的发展和开关技术的进步, G开关电源的开关频率和功率密度不断上升 .些导致开关电源内部的电磁环境越来越恶劣,这同时对周围的电子设备及电源本身的正常工作也造成威胁 .因此,低开关电源的 E成为开关电源设计中的重要课题之一 .降 MI 开关电源的 E研究主要包括传导性噪声分离测量技术、声源建模研究、 MI噪噪声源机理研究及噪声
抑制技术等方面 .噪声机理研究方面,在国内# a多文献 l ̄ -刮从传导噪声源传播途径和门极驱动等方面人
手,电磁干扰在频谱方面进行了分析研究,比了在不同的开关频率、动电阻、入电压、载电流等对对驱输负参数下,模、模和总传导噪声干扰的变化 .目前的传导噪声机理研究中,没有对驱动电路噪声影响差共在都 作详细的分析 .文以 B ot本 os变换器为例,析驱动电路对电磁干扰的影响,出了基于驱动噪声的电磁分提干扰分析模型,该模型可以用于分析驱动电路噪声对开关电源电磁干扰的影响,利用该模型进行了传导性共模干扰和差模干扰产生机理的研究 .后,文还在机理分析的基础上进行了仿真和实验验证 .最本
1基于
开关电源驱动噪声的 EM1分析模型理论 1 1差模干扰模型分析 . 对于连续导电模式和I临界连续模式的 B ot os电路,一时刻整流桥中总有一对二级管是导通的, D某如
和D, 或者和
同时导通,因此差模干扰电流传播途径如图 1所示 .中 C图为 M S E O F T漏极 d和栅
极 g间的寄生电容, MO F T源极 s C为 SE和栅极 g问的寄生电容 .根据图 1得到简化差模干扰耦合路径可 收稿日期: 0 0 3—0 2 1 46 1 .
基金项目:江苏省自然科学基金 ( K 0 8 2 )毫米波国家重点实验室开放基金 ( 2 10 ) B 2049、 K 0 16 . 通讯联系人:赵阳,授,士生导师,究方向:教博研电磁兼容 .— alzayn2 nn .d .n E m i:hoag@ ju eu c
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