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Q67050-A4102-A001中文资料

3

SIGC12T120

Q67050-A4102-A001中文资料

IGBT Chip

FEATURES:

1200V Trench & Field Stop technology low turn-off losses short tail current

positive temperature coefficient easy paralleling

This chip is used for: power module Applications: drives

Q67050-A4102-A001中文资料

Chip Type

SIGC12T120

VCE 1200V

ICn 8A

Die Size 3.54 x 3.5 mm2

Package sawn on foil

Ordering Code Q67050-A4102-A001

MECHANICAL PARAMETER: Raster size Emitter pad size Gate pad size Area total / active Thickness Wafer size Flat position

Max.possible chips per wafer Passivation frontside Emitter metallization Collector metallization Die bond Wire bond

Reject Ink Dot Size

Recommended Storage Environment

3.54 x 3.5 2.028 x 2.028 1.107 x 0.702 12.4 / 6.9 140 150 0

1200 pcs Photoimide 3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

electrically conductive glue or solder

Al, <500µm 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

mm µm mm grd

2

mm

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